根据韩国媒体的报道，业内人士分析指出，三星电子和台积电的3nm工艺良品率目前均在50%左右。
有消息称，三星电子的3nm良品率已超过60%，并向中国客户交付了一款芯片，但由于该芯片省略了逻辑芯片中的SRAM，因此难以被视为“完整的3nm芯片”。
业内普遍认为，虽然三星在3nm全栅极技术（GAA）上实现了率先量产，但目前的产量仍不足以影响到大客户。一位知情人士透露：“要赢得高通等大客户明年的3nm移动芯片订单，良率至少需要提高到70%。”
目前，台积电是唯一一家实现3nm量产的公司，但其产量低于最初预期。有分析师指出，台积电在3nm工艺中继续使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能未能有效控制过热问题。
两家公司正努力实现60%以上良品率的目标。台积电计划在明年量产N3E、N3P、N3X、N3AE等，重点在于提升良品率并降低成本。
一位半导体业内人士透露，三星、台积电和英特尔都在为2nm工艺做准备，但与3nm相比，性能和功耗效率的提升并不明显，因此预计3nm工艺芯片的需求持续时间将超出预期。
天风国际的分析师上月末在X平台上发表了对苹果iPhone 15 Pro手机过热问题的分析，指出这与台积电的3nm制程并无关联。
调查显示，iPhone 15 Pro系列的过热问题并不与台积电的3nm制程相关，主要是因为为了减轻重量，散热系统的设计进行了妥协，如散热面积较小及使用钛合金影响散热效果等。预计苹果将通过系统更新来修复此问题，但除非降低处理器性能，否则改善效果可能有限。如果苹果未能妥善解决这一问题，可能会对iPhone 15 Pro系列的出货量产生不利影响。
