10月12日，三星正式宣布，基于极紫外光（EUV）工艺的14nM DRAM已进入量产阶段。
三星表示，继去年3月推出首款EUV DRAM后，进一步将EUV层数提升至5层，为DDR5解决方案提供更先进的工艺基础。
据最新DDR5标准，14nM DRAM的速率达到7.2Gbps，是DDR4的3.2Gbps的两倍多。
三星指出，随着工艺缩小至10nM级别，EUV技术能够提升图案转写的准确性，从而带来更高性能和更大产量，因此这一技术日益重要。
官方介绍，在14nMDRAM中采用5层EUV，达到单元容量的历史新高，同时晶圆产出率提升约20%；与前代工艺相比，14nM还可帮助将功耗降低约20%。
值得一提的是，三星还计划扩展其14nM DDR5产品阵容，以覆盖数据中心、超级计算机与企业服务器的应用场景。
同时，三星预计将14nM DRAM芯片容量提升至24GB，以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示，通过开拓关键的图案技术，三星在全球DRAM市场的影响力已近三十年。
他强调，如今通过多层EUV建立起另一项技术里程碑，使14nM实现极致化，这是传统氟化氩（ARF）工艺难以实现的。
在此基础上，三星将继续为5G、AI和元宇宙中对高性能和大容量数据驱动计算的需求，提供具备差异化的内存解决方案。
