本月22日，韩国半导体工业协会在首尔举行成立30周年纪念活动。
在活动现场，SK海力士CEO李锡熙回应媒体时谈及无锡存储工厂引进EUV光刻机相关进展。
对于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示目前正与美国方面密切协调，进展良好。EUV光刻技术已在韩国本土DRAM产线上投入使用，中国工厂仍有充足时间进行协商与推进。
据公开信息，SK海力士计划以EUV光刻机制造10nm DRAM芯片，即第四代内存。无锡存储工厂也在筹划应用相关技术，目前正在探索多种途径以克服困难，毕竟这是来自韩国的企业在推进此事。
公开资料显示，无锡海力士工厂的DRAM产能约占公司全球产能的15%。
