近日有消息称，与第三代半导体氮化镓相关的一个项目传出可能由中芯国际创始人张汝京博士参与。但张汝京博士已对相关传闻作出否认，表示自己并未参与该项目。
据相关披露，宏光半导体完成了一项配售协议，募集资金约8620万港元，其中约6430万港元用于加强快充、GaN设备及相关半导体产品的研发能力。
公告还称，宏光半导体已在徐州经开区新建GaN生产基地，并在基地内安装用于GaN及相关产品生产线的设备，计划未来升级为全自动芯片制造流程，年封测氮化镓电子器件8000万颗。
公告也提到，公司引入了一支强大的氮化镓研发团队，核心成员包括陈振博士、吕瑞霖先生、张汝京博士以及ThoMas Hu博士。
在该名单中，张汝京博士作为中芯国际创始人，其行业影响力引人关注。然而，张汝京博士向媒体表示，相关消息不属实，他并未参与该项目，也未前往该工厂。
