1 月 19 日消息，外媒称 ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路大会）将召开，某韩国半导体厂商计划展示更快的 12 层堆叠 HBM3 高速内存，另一家知名厂商也将推出更高性能的 GDDR6 芯片。
该厂商在 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，初始带宽达到 820 GB/s，如今其性能可提升至约 896 GB/s。
该 12 层 HBM3 内存采用 TSV 硅通孔工艺，单颗容量可达 24GB。目前这类产品多用于服务器级处理器并与核心模块紧密封装以实现高带宽。该厂商还表示，该芯片集成了自动校准和机器学习优化技术。关于是否会尽快量产，目前尚无明确消息。
据报道，另一家厂商将展示 16Gb（2GB） GDDR6 显存，速率达 27Gb/s，采用 T-coil 电路结构以提升速度。此前 GDDR6 的最高带宽为 24Gb/s，这款新品超越前代，预计将提升显卡性能。
ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举行，届时相关厂商高管将发表更详细的介绍。
