GlobalFoundries（GF）近日宣布已收购瑞萨电子的导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术。这项低功耗存储解决方案旨在支持家庭、工业物联网及智能移动设备的多种应用。
此次收购增强了GF的存储产品组合，进一步扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。通过引入可靠且易于集成的嵌入式存储器，客户将能够更好地区分其系统级芯片（SoC）设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。
GF首席业务官Mike Hogan表示：“我们致力于使技术组合独特，为客户的节能物联网应用奠定基础。通过收购这项创新存储技术，GF在加速NVM解决方案开发方面发挥着关键作用，帮助客户设计下一代智能互联设备。CBRAM技术带来了性能和超低能耗的新模式，使得从可穿戴设备到智能手机的各种应用在特定情况下将电池充电间隔从几小时延长到几周甚至几年。”
CBRAM因其低功耗、高读写速度、降低制造成本及对恶劣环境的耐受性，特别适合消费、医疗及某些工业应用。2020年，GF与Dialog半导体达成许可协议，将其CBRAM技术作为嵌入式、非虚拟的选项。目前，CBRAM正在GF的22FDX®平台上进行验证，并计划扩展至其他平台。
