三星预计将在今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，旨在稳定早期阶段的良率问题，并提升性能、降低功耗及优化面积。
根据三星电子在12日发布的《事业报告书》，该公司将启动基于4纳米工艺的2.3代芯片的量产。这是三星首次披露4纳米后续版本的具体量产时间。
与早期版本SF4E相比，第二代和第三代产品在性能上有显著提升，同时具有更低的功耗和更小的面积。
然而，在SF4E芯片商用后，三星在芯片产量管理方面面临了一系列挑战，最终由于能耗表现不佳以及产能限制，失去了大客户高通，转而由台积电接手。
业内人士估计，三星目前的4纳米工艺良率约为60%，而台积电的同类良率则在70%至80%之间。专家表示，三星的良品率正在快速提升，后续产品的量产也在加速进行。
随着三星在先进工艺上的不断突破，预计在保证产能的前提下，有望在5纳米及更高级别的工艺量产中与台积电展开更激烈的竞争。
对于关注半导体行业的用户来说，当前最先进的工艺是3纳米级别，但台积电和三星的主要产品仍集中在4纳米和5纳米。
根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，截至去年第三季度，4纳米和5纳米工艺的销售额占比最高，达到22%，超过了6纳米、7纳米的16%以及14纳米和12纳米的11%。
