该公司宣布，采用12纳米级工艺的16Gb DDR5 DRAM 已开始量产。所采用的前沿制造工艺再次凸显其在尖端 DRAM 技术领域的竞争力。
与上一代产品相比，新一代 12 纳米级 DDR5 DRAM 的功耗降低约 23%，晶圆产出率提升约 20%。出色的能效为服务器与数据中心的节能降排提供了更优解决方案。该工艺的开发基于一种新型高κ材料，有助于提升电容，从而增强数据信号辨识的稳定性。同时，在降低工作电压与噪声方面的改进，也让该方案更适合客户的多元化需求。
新一代 DDR5 DRAM 最高可实现 7.2 Gbps 的传输速率，相当于每秒可处理约两部 30GB 的超清视频。为满足市场需求，厂商将持续扩大 12 纳米级 DRAM 的产品阵容，以支持越来越多的应用场景，助力数据中心与人工智能等领域的计算升级。
该厂商在去年完成了 16Gb DDR5 DRAM 与主要行业伙伴的兼容性评估，并将继续与全球 IT 企业合作，推动下一代 DRAM 市场的创新与应用扩展。
