不久前，官方宣布今年的骁龙技术峰会将于10月24-26日举行，地点仍在夏威夷，焦点为新一代旗舰芯片骁龙8 Gen3，首批搭载该芯片的顶级旗舰机型有望提前1-2周发布，其中某品牌的旗舰系列备受关注。现在有消息，数码博主进一步披露了该芯片的核心参数细节。
据最新信息显示，与此前曝光基本一致：骁龙8 Gen3将采用台积电N4P工艺，采用1+5+2架构设计，包括1颗CoRtex X4超大核、5颗CoRtex A720大核和2颗CoRtex 20小核。其中超大核的CoRtex X4最高频3.7GHz，性能峰值提升约15%，功耗比X3低40%。首次采用5颗CoRtex A720大核设计，较骁龙8 Gen2在性能上有显著提升，成为迄今为止性能最强悍的骁龙5G SoC。此外，骁龙8 Gen3的GPU升级至Adreno 750。
至于新一代旗舰系列，根据此前曝光的消息，首批应该仍将推出两款机型，分别采用直屏和四曲面屏方案，屏幕边框将进一步缩窄，四边框极窄设计有望实现，整体视觉与手感将显著提升。配合上四曲面的屏幕，正面呈现“全屏”效果，提升了观感与手感的综合体验。
据悉，骁龙8 Gen3有望在10月24-26日的骁龙技术峰会上正式亮相，首发的品牌大概率仍然是同一波系中的知名厂商，机型则为上述旗舰系列。关于更多细节，拭目以待。
