互联网资讯 / 手机数码 · 2024年3月13日

新一代8Mb Serial NOR Flash 采用58nm工艺发布

最新推出的8Mb 3V Serial NOR Flash 产品,具备更快的读取性能与更小的尺寸,适用于工业与消费场景中的边缘设备需求。

新一代8Mb Serial NOR Flash 采用58nm工艺发布

该产品由自有晶圆厂生产,采用当前代58nm工艺制造,体积显著缩小,适用于各类小型物联网设备。

市场研究公司预测,物联网在未来数年将继续快速扩展,全球连接设备数量将达到数百亿级别。该系列3V 8Mb Serial NOR Flash 适用于汽车与物联网领域,预计到2027年全球Serial Flash的出货量将显著增长。

多年来,相关厂商持续满足对8Mb Serial Flash的需求,应用领域覆盖仪器仪表、联网设备、个人电脑、打印机、车载系统及游戏设备。新推出的产品支持更多新兴应用与用例,如通过特定封装与解决方案实现无线连接,并采用更小尺寸的封装。

相关解决方案已在市场上使用多年,经过严格测试,可靠性水平与封装产品相当,适合与需要高速闪存的MCU及SoC进行堆叠。8Mb闪存产品提供更高的读取速度,提升系统性能,并为固件OTA更新与工业应用带来更快的编程与擦除速度。

该系列Flash支持所有主流的单/双/四通道QPI命令与读取模式,供电电压为2.7V – 3.6V,待机电流低至1μA。SPI时钟频率最高可达单通道133MHz、双通道66MHz。读取命令绕行模式实现更快的内存读取,支持片上执行操作。