4月17日，有媒体报道称，三星正在加速开发下一代高带宽内存（HBM）产品，以进一步巩固其在高端AI内存市场的地位。
据悉，三星电子计划在2026年5月开始生产符合英伟达标准的HBM4E样品。
行业人士透露，三星已经制定了紧凑的时间表：目标是在下个月中旬之前，由其代工部门成功制造出HBM4E核心逻辑芯片的样品。
这些核心逻辑芯片将与为HBM4E设计的DRAM芯片进行封装，制成首批工程样品。经过内部严格的性能评估并确认各项指标达到预期后，这些样品将提交给英伟达进行进一步验证。
在技术规格方面，三星的HBM4E与前一代HBM4相同，均采用1c nM DRAM Die与4nM Base Die。然而，三星在工艺细节上进行了改进，以提高产品的整体性能和竞争力。
三星的晶圆代工部门负责关键的生产任务。根据计划，该部门将在5月中旬前完成HBM4E性能样品Base Die的生产，并将其交付给存储器业务部门，以启动后续的3D封装工序。
