长鑫科技第五代DRAM工艺平台仍在研发：将优化多重曝光提升存储密度
据 IT之家 7 月 15 日消息，长鑫科技科创板上市网上投资者交流会今日举行。来源显示，长鑫科技管理层在会上披露了公司存储工艺平台与产品进展：公司第五代工艺技术平台及相关产品目前仍处于研发阶段，将采用进一步优化的多重曝光技术，以提升存储密度和阵列性能。与此同时，长鑫科技 IPO 安排也进入关键节点，网上申购将于 7 月 16 日进行，网下询价确定的发行价为 8.66 元/股。
从第一代到第四代：国产 DRAM 平台进入量产迭代期
据上海证券报消息，长鑫科技董事长朱一明在交流会中表示，公司在技术平台方面坚持自主研发，并通过“跳代研发”推动技术创新，已完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产。这意味着长鑫科技并非只围绕单一产品做局部迭代，而是在存储制造所需的工艺平台层面持续推进。
产品方面，长鑫科技在 2019 年 9 月推出自主设计生产的 8Gb DDR4 产品，被视为中国大陆 DRAM 产业“从零到一”的重要节点。来源还提到，截至 2025 年 12 月 31 日，公司已完成 LPDDR4X、DDR5 和 LPDDR5/5X 的开发与量产。对于面向 PC、服务器、移动终端和智能设备的存储供应来说，这些产品线覆盖了当前主流内存需求中的多个关键方向。
在 AI 服务器、端侧 AI 设备和高性能计算需求持续上升的背景下，DRAM 的供应能力不仅关系到单一芯片企业，也关系到整机厂商、云计算平台与国产硬件生态的稳定性。长鑫科技此次披露的进展，重点不在于单款新品发布，而在于其工艺平台持续迭代的节奏。
第五代平台看点：多重曝光继续优化，目标是密度与性能
长鑫科技副总裁、董事会秘书袁园表示，公司第五代工艺技术平台及相关产品目前处于研发阶段。该平台采用进一步优化的多重曝光技术，目标是进一步提升存储密度和阵列性能；公司研发团队正在推进相关工艺和产品技术开发。
对于 DRAM 制造而言，存储密度、良率、功耗和性能之间往往需要综合平衡。多重曝光技术的优化，通常意味着企业希望在既有制造条件下继续压缩关键图形尺寸、提升阵列排布效率，从而增强单位面积可容纳的存储容量。来源未披露第五代平台的量产时间表、具体制程参数或对应产品规格，因此相关进展仍应以公司后续公告为准。
- 技术状态：第五代工艺技术平台仍在研发，尚未披露量产节点。
- 核心方向：采用进一步优化的多重曝光技术，提升存储密度和阵列性能。
- 既有基础：第一代至第四代工艺技术平台已完成量产。
- 产品覆盖：已完成 LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X 等产品开发与量产。
影响解读：国产内存产业的竞争重点从“有无”转向“迭代速度”
长鑫科技早期 8Gb DDR4 产品的意义在于补齐中国大陆 DRAM 产业空白，而现在外界更关注其是否能够持续追赶国际内存厂商的工艺和产品节奏。随着 AI 训练、推理、智能终端和汽车电子等场景扩大，内存带宽、容量和能效的重要性不断提升，DRAM 已成为算力基础设施中的关键环节。
从产业角度看，第五代平台仍处研发阶段说明国产 DRAM 的先进工艺演进仍需要时间，但持续投入工艺平台本身，对长期竞争力更为关键。相比单纯推出某一代产品，平台能力决定了后续产品能否更快扩展到不同容量、不同功耗和不同终端场景。
资本市场方面，根据此前披露的上市发行安排及初步询价公告，长鑫科技发行价为 8.66 元/股。按上市后总股本推算，其上市估值为 5791.78 亿元；若中金公司全额行使超额配售选择权，市值将达 5888.76 亿元。如此体量也意味着市场对国产存储赛道的预期较高，后续公司在研发兑现、产品交付与产业链协同上的表现，将成为观察重点。
总体来看，长鑫科技此次交流会释放的信息表明，国产 DRAM 正从早期突破进入持续平台化迭代阶段。对于中文科技读者而言，值得关注的不是单一估值数字，而是第五代工艺平台何时完成研发、能否顺利导入产品、以及在 AI 与高性能计算需求增长下形成多大供应能力。