长鑫科技拟投建两大项目：241亿元研发项目与108亿元DRAM后道测试基地二期

据 IT之家 9 月 28 日消息，长鑫科技当日晚间发布公告，披露拟使用部分超募资金投资建设新项目。公告显示，公司计划新建技术研发项目，项目总投资金额为 241 亿元、建设周期 30 个月；同时拟由全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司投资建设存储器晶圆后道测试基地二期项目，项目总投资金额为 108 亿元、建设周期 37 个月。此次规划覆盖前端技术研发与后道测试及模组组装两个关键方向，显示长鑫科技正在围绕 DRAM 产业链能力进行更系统的投入。

两项投资分别指向研发能力与测试产能

根据公告，长鑫科技拟使用超募资金 130 亿元投资新建技术研发项目。该项目主要用于技术研发，整体总投资金额为 241 亿元，建设周期为 30 个月。对于存储芯片企业而言，研发投入通常关系到工艺演进、产品迭代、良率提升以及面向不同应用场景的产品能力建设，是长期竞争力的重要基础。

另一项投资则落在存储器晶圆后道测试基地二期项目。长鑫科技拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金 50 亿元，由其投资新建该项目。项目计划建设一座测试工厂，为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装，项目总投资金额为 108 亿元，建设周期为 37 个月。

• 技术研发项目：总投资 241 亿元，建设周期 30 个月，主要用于技术研发。
• 后道测试基地二期：总投资 108 亿元，建设周期 37 个月，建设测试工厂，服务 DRAM 测试与模组组装。
• 资金安排：拟使用超募资金 130 亿元投向研发项目，并向全资子公司提供 50 亿元超募资金用于测试基地二期。

为何后道测试成为重点：DRAM产能扩张的“卡点”之一

长鑫科技在公告中表示，测试是 DRAM 生产中不可或缺的关键环节。由于 DRAM 测试涉及专用设备，随着公司产能提升、产品种类增多，外部封测厂可能出现测试产能不足、新增投资配套不足等问题。换言之，如果前端制造能力持续扩张，而后道测试资源无法同步跟上，测试环节就可能成为产能释放的瓶颈。

从半导体产业链分工看，晶圆制造之后的测试、封装、模组环节并不只是简单的“后处理”。对于存储芯片尤其是 DRAM 来说，测试环节直接关系到产品筛选、质量一致性、交付效率以及客户验证节奏。长鑫科技选择加大自建测试产能投入，核心目标是保障测试能力不成为公司整体产能的制约因素，并提升供应链安全水平。

产业解读：自建后道能力有助于完善IDM模式

公告提到，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，公司能够更灵活协调测试产能利用，降低 DRAM 芯片测试成本，提升运营效率和测试技术，并进一步完善 IDM 模式。所谓 IDM 模式，通常意味着企业在设计、制造、测试等多个环节拥有更强的一体化能力。对于存储芯片行业而言，这种模式有助于企业在产能调度、技术反馈和成本控制上形成闭环。

对于中文科技产业观察者来说，长鑫科技此次公告的意义不只在于投资规模较大，更在于其投资方向反映出国内存储产业正在从单点产能建设，转向更完整的工程体系建设。研发项目面向长期技术能力，测试基地二期则面向产能兑现与交付效率，两者共同指向一个目标：提升 DRAM 产品从研发到量产再到交付的整体可控性。

在 AI 服务器、智能终端、数据中心等需求持续推动存储产业关注度上升的背景下，DRAM 企业的竞争并不只取决于晶圆制造本身，还取决于研发迭代速度、测试能力、供应链韧性和规模化运营效率。长鑫科技此次拟投建项目，若按计划推进，将有助于其增强关键环节自给能力，并在未来产品扩张中降低对外部测试资源的依赖。