SK 海力士据报考虑在美建 NAND 工厂，争取大连厂设备许可

据 IT之家 10 月 15 日援引路透社报道，SK 海力士正尝试将美国新建 NAND 闪存工厂计划，与中国大连工厂引进更多美国半导体设备的许可进行协商。知情人士称，其设想是通过大连工厂增加产出带来的收入，支持美国新厂建设。不过，这一安排仍属于消息人士披露的方案，并非已经落定的投资或许可协议。

大连 Mod B 设备安装，是协商的关键

报道焦点是 SK 海力士旗下美国子公司 Solidigm 在大连的 Mod B 厂区。该区域于 2023 年建成，但受当时存储市场低迷影响，设备安装未能完成。目前厂房已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具。

据报道，Solidigm 已申请出口许可证，希望采购额外设备用于该区域。大连工厂采用的设备涉及泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商，因此，后续设备引进需要取得相应授权。

这里需要区分消息人士的说法与公司正式回应：知情人士将设备引进与提高产量联系起来；SK 海力士则表示，Mod B 的设备安装正与美国政府密切协商，并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连 Mod B 的产能。Solidigm 拒绝置评。

美国制造布局涉及多条路径

路透社此前于 9 月报道称，Solidigm 正考虑在美国建设 NAND 工厂，纽约州北部是主要候选地点之一。此次报道进一步提到，大连工厂若能提高产量，新增收入可能成为美国建厂的资金来源，并为逐步扩大美国生产提供过渡。

• 资金方面：据知情人士透露，Solidigm 正考虑最早于 2027 年 IPO，所筹资金可能用于新厂建设。
• 制造方面：SK 海力士还在与英特尔洽谈，租用其位于俄亥俄州、规划已久的半导体设施的部分空间。
• 封装方面：SK 海力士已在印第安纳州启动先进封装工厂建设，主要面向 HBM 产品。

上述事项的确定性并不相同：NAND 新厂、潜在 IPO 和租用设施仍涉及考虑或洽谈，不能视为已完成决策；印第安纳州封装项目则已启动建设。

产业解读：AI 需求之外，扩产还要跨过设备与资金门槛

此次动向的背景，是美国推动海外半导体企业赴美制造，以及 AI、云计算数据中心需求增长。来源显示，全球存储芯片供应趋紧，NAND 价格持续上涨，正在推动厂商重新评估生产投入。

对 AI 产业而言，NAND 与 HBM 对应不同环节，不能混为一谈：前者主要承担数据存储，后者侧重为计算提供高带宽内存支持。SK 海力士同时推进相关布局，反映出数据中心需求对不同存储产品的拉动。

但需求增长并不意味着产能可以立即释放。现有厂房能否补齐设备、许可证能否获批，以及美国新厂如何筹资，都会影响计划推进。后续值得关注的是设备授权与美国投资承诺能否形成可执行安排，而非仅凭建厂意向判断新增供应规模。