国星光电正式推出一系列全新的第三代半导体产品，这些新产品分为三个主要系列：SiC功率器件、GaN-DFN器件和功率模块。
国星光电的SiC功率器件具备小巧轻便的特点，具备快速反向恢复、强抗浪涌能力和高雪崩耐压，展现出卓越的性能与出色的工作效率。目前，该系列已形成两条主打产品线：SiC-MOSFET和SiC-SBD，并提供四种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263和TO-252），可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业场景。
国星光电的GaN-DFN器件则具有更高的临界电场、优异的导通电阻和更低的电容等优势，非常适合用于功率半导体器件。它不仅能降低节能和系统总成本，还能实现更高的工作频率，具备极高的功率密度和系统效率，极大地提升了充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电和手机快充等领域。
国星光电的第三代半导体功率模块采用自主创新的架构和双面高效散热设计，提供优异的电性能和热性能，具备低杂散电感、高转换效率和小轻载损耗等特点。其大功率密度和小体型使其能够广泛应用于各种变频器和逆变器等工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。此外，模块产品还可根据特定功能需求进行定制开发。
据了解，佛山市国星光电股份有限公司是广东广晟旗下专业从事LED及其应用产品研发、生产与销售的国家高新技术企业。公司成立于1969年，1976年开始进入LED封装领域，是国内最早生产LED的企业之一，也是国内首家以LED为主业上市的公司，率先实现LED全产业链整合的企业之一，现已成为国内最大的LED生产制造企业之一，并在全球LED封装行业中占据领先地位。近年来，公司在全球LED封装企业营收中排名前八。
