安森美半导体推出了业界首款专用临界导通模式图腾柱PFC控制器，成为该公司超高密度离线电源解决方案的新成员。
在传统PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约为4 W，约占总损耗的20%。通常情况下，PFC级的能效可达97%，而LLC电路也能实现类似性能。通过用“图腾柱”配置的开关替代损耗较大的二极管，并引入升压PFC功能，可以显著降低电桥损耗，从而提升整体能效。NCP1680控制器兼容各种开关类型，无论是超级结硅MOSFET，还是碳化硅或氮化镓等宽禁带开关。
新推出的NCP1680 CRM图腾柱PFC控制器采用创新的电流限制架构和线路相位检测，结合经过验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱PFC解决方案，同时不影响性能。该芯片的核心是内部补偿数字环路控制，采用恒定导通时间CRM架构，具备内置的非连续导通模式，在频率反走工作期间进行谷底同步导通，符合现代能效标准。
这款高度集成的器件使电源设计能够在通用电源下以高达350 W的推荐功率水平运行。在230 V电源输入情况下，基于NCP1680的PFC电路能在300 W下实现接近99%的能效。借助外部少量简单器件即可构建全功能的图腾柱PFC，节省了空间与器件成本，并进一步减少了器件数量，支持逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。
NCP1680采用小型SOIC-16封装，并可作为评估平台的一部分，支持快速开发与调试先进的图腾柱PFC设计。
在图腾柱开关技术中，包含高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680可与NCP51820半桥GaN高电子迁移率晶体管门极驱动器或NCP51561隔离型SiC MOSFET门极驱动器共同使用。
NCP51561是一款隔离型双通道门极驱动器，具备4.5 A源电流和9 A灌电流的峰值能力。这个新器件适用于快速开关的硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的5 kVRMS电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具备可编程的死区时间。一个使能引脚能够同时关闭两个输出，NCP51561还提供其他重要的保护功能，例如独立的欠压锁定和使能功能。
安森美半导体提供了广泛的SiC MOSFET产品，相较于硅MOSFET能效更高。其低导通电阻和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷，从而提高功率密度。安森美半导体已发布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650 V SiC MOSFET，并将持续扩展该产品系列。此外，安森美半导体还提供完整的硅基650 V SUPERFET® III MOSFET产品组合。
