3nm芯片成功流片进入规模化量产阶段

6月29日晚间消息，外媒报道，三星宣布其3nm制程技术已成功流片。该制程采用了GAA架构，性能上超过了台积电的3nm FinFET架构。

据悉，三星与新思科技合作推进了3nm制程的流片进程，旨在加速GAA架构生产流程的高度优化参考方法。与台积电和英特尔所使用的FinFET架构不同，三星选择了GAA结构，并利用了新思科技的FUSion设计平台。

在技术性能方面，GAA架构的晶体管在静电特性上优于FinFET，能够满足特定栅极宽度的需求。这主要体现在同等尺寸下，GAA的沟道控制能力得到了增强，从而为进一步缩小尺寸创造了可能。

此次流片是SynopsYs与三星代工厂的合作成果。尽管三星早在2020年便完成了3nm工艺的开发，但这并不代表其产品能及时投入量产。随着此次流片的成功，三星3nm芯片的规模化量产已进入倒计时。