三星与Synopsys合作宣布，其3nm GAA工艺已成功流片，成为全球首个实现GAA晶体管工艺流片，这一成就具有重要意义。
尽管如此，三星尚未透露3nm GAA工艺的量产时间，这一信息至关重要。
近期，一位分析师引用高通高管的言论，认为2023年可能会有3nm GAA工艺的芯片推出，但更现实的预计是2024年，这意味着量产将推迟三年。
早在2019年，三星就公布了3nm GAA工艺的PDK规范，并曾预计在2020年底进行试产，2021年实现量产。如今看来，三星的预期过于乐观，3nm GAA工艺的推出被延后了三年。
从积极的角度看，采用GAA晶体管技术的3nm工艺将带来可喜的变化，相较于5nm制造工艺，3nm GAA技术在逻辑面积效率上提升了超过35%，功耗降低了50%，性能提高了约30%。
然而，令人担忧的是，如果三星的3nm GAA工艺推迟到2024年才能实现量产，届时台积电的2nm工艺也将接近量产，并同样采用GAA晶体管技术，这或将对三星超越台积电的目标造成影响。
