10月9日消息，外媒在晶圆代工论坛上报道，三星电子宣布将从2025年起实现2nM芯片的量产。
该声明表明三星将继续推进尖端制造技术，与英特尔、台积电等对手展开竞争。
业内消息称，三星的2nM制程量产计划大约比台积电和英特尔晚约一年。不过，台积电和英特尔计划在2nM制程中首次引入GAA架构，这使三星在技术稳定性和良品率方面具备一定优势。
今年6月底，三星宣布其3nM制程已正式流片。据了解，该工艺采用GAA架构，性能优于台积电的3nM FinFET方案；但当时并未披露3nM GAA工艺的量产时间。
在同一场晶圆代工论坛上，三星表示计划自2022年上半年开始量产客户定制的3nM芯片，第二代3nM芯片预计于2023年投入生产。
