骁龙5100系列可穿戴芯片将采用4nm工艺

高通正计划将4nm制程进一步扩展到可穿戴设备平台。根据现有消息，即将推出的骁龙 5100 和骁龙 5100+ 两款可穿戴芯片，预计都将采用4nm工艺制造，相比现有平台有望在性能和能效方面带来提升。

作为对比，目前的骁龙 4100 采用的是12nm工艺，而更早一代的骁龙 3100 则基于28nm工艺。制程持续升级，意味着新一代可穿戴芯片在功耗控制、发热表现以及整体计算能力上都有望进一步优化。

消息称，新芯片预计将由三星代工生产。此前，高通部分高端移动芯片也已采用三星的4nm制程，因此这一安排并不令人意外。

两款芯片的主要区别

骁龙 5100 与骁龙 5100+ 的差异，主要体现在封装方式上。

• 骁龙 5100：SoC 与电源管理芯片（PMIC）分离设计。

• 骁龙 5100+：采用模塑嵌入式封装（MEP），将相关组件集成在同一封装内。

其中，5100+ 还被认为会加入来自 ARM 的心率监测与跌倒检测相关技术，同时在触觉反馈方面也会有所增强。

核心规格曝光

从目前流出的信息来看，这两款芯片在基础硬件规格上大致一致，预计包括：

• 4个主频为1.7GHz的 Cortex-A53 核心

• 主频为700MHz的 Adreno 702 GPU

• 支持最高4GB LPDDR4X 内存

• 支持 eMMC 5.1 存储

如果相关信息属实，骁龙 5100 系列将成为高通在可穿戴平台上的一次重要升级，为后续智能手表等设备提供更先进的硬件基础。