3月9日早盘，光刻胶概念继续走强。截至发稿时，光刻胶指数上涨超过6%。容大感光的“20cM”涨停，彤程新材也涨停，上海新阳上涨超过11%，强力新材、南大光电、广信材料等多只股票随之上涨。
值得关注的是，容大感光已连续两日涨停。
在消息层面，荷兰政府计划限制浸没式DUV光刻机的出口，预计将在夏季之前公布该提议。阿斯麦对此表示，“额外的出口管制并不适用于所有的浸没式光刻机，仅限于‘最先进的’系统。”由于没有明确的定义，阿斯麦将“最先进的”解读为“TWINSCANN XT:2000i及后续系统。”
此外，昨日消息的联动效应显著。某日本光刻胶大厂已执行美国“实体清单”的限制，对中国大陆的一家存储晶圆厂停止供货KRF光刻胶。同时，容大感光在昨日的机构调研中透露，公司干膜光刻胶、显示用光刻胶、半导体光刻胶等产品已开始批量销售，部分产品已进入核心客户的供应链。近期，同益股份在互动平台上回应称，公司引进光刻胶基材，部分客户有小规模销售。金力泰也在互动平台提到，其子公司的超微弧氧化技术可用于光刻机设备零部件的表面处理。
在多重消息的影响下，半导体“国产替代”的情绪不断升温，光刻胶概念在容大感光的带动下频频躁动。
荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）于9日上午发布声明，表示需要申请许可证才能出口DUV设备。同时，阿斯麦指出，“新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，相对较低的浸润式光刻系统已能够很好满足以成熟制程为主的客户需求。”
荷兰政府在3月8日宣布计划对半导体技术出口实施新的管制，该决定由荷兰贸易部长Liesje SchREINeMacheR在致荷兰议会的一封信中发布，表示这些管制措施将在今夏之前开始实施。
尽管信中并未直接提到ASML及其合作伙伴，但ASML在最新声明中指出，这些出口管制措施主要针对先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。
根据资料，光刻胶产品按照下游应用领域分为半导体光刻胶（IC光刻胶）、PCB光刻胶、LCD光刻胶。其中，半导体光刻胶技术要求最高，按曝光波长可分为i线光刻胶(365nM)、KRF光刻胶(248nM)、ARF光刻胶(193nM)等，曝光波长越短，适用的IC制程工艺越先进。目前，我国半导体光刻胶市场主要被外资企业垄断，国产化程度较低。
近年来，在国内各方面的产业支持下，半导体国产化水平不断提升，尤其自2018年以来，美国对华半导体产业的制裁趋严，国产替代进程加速。
目前，在制造端和设备端，国产化率均得到迅速提升，自主产业链初见雏形，过去五年中，IC设计、晶圆制造、封装测试、设备材料等环节中，多条细分赛道的国产化率都有所提高。
PCB光刻胶主要分为干膜光刻胶、湿膜及阻焊油墨，其中干膜光刻胶几乎全为进口，湿膜及阻焊油墨的国产化率约为50%，国内代表厂商包括容大感光、东方材料等。
LCD光刻胶则分为CF彩色光刻胶、CF黑色光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶，前两者的国产化率均为5%，而TFT-LCD正性光刻胶大部分依赖进口。
最受关注的当属半导体光刻胶，其又可细分为g线光刻胶、i线光刻胶、KRF光刻胶、ARF光刻胶和EUV光刻胶。
g线光刻胶适用于逻辑制程工艺为0.5微米以上；i线光刻胶适用0.5微米；KRF光刻胶适用0.25微米至0.11微米；ARF光刻胶适用90纳米至7纳米；EUV光刻胶则适用于7纳米及以下。
在晶圆尺寸方面，g线光刻胶适用于6英寸；i线光刻胶适用于6英寸和8英寸；KRF光刻胶适用于8英寸；ARF和EUV光刻胶则适用于12英寸。
关于半导体光刻胶的国产化，g线光刻胶和i线光刻胶的国产化率为10%。其代表厂商包括容大感光、苏州瑞红、北京科华和徐州博康。
KRF光刻胶和ARF光刻胶的国产化率仅为1%，国内代表厂商为上海新阳、南大光电、苏州瑞红、北京科华和徐州博康。
根据SEMI数据显示，2021年全球半导体光刻胶市场中，中国大陆市场保持最快增速，同比增长达到43.69%。受益于半导体行业技术进步，KRF胶和ARF胶的单价和总需求快速提升，预计国内半导体光刻胶市场将以高于全球的增速持续增长。
尽管国内半导体产业在关键芯片及设备领域的国产化率仍较低，高端国产替代的道路依然艰巨。受到终端消费不景气的影响，目前半导体行业的寒意尚未散去，国外巨头对一季度的前景普遍持悲观态度。
从中长期来看，半导体国产替代已是大势所趋，行业前景广阔。但短期内仍需保持谨慎，切忌盲目追高。
