格罗方德计划 2028 年量产 7nm 级 FD-SOI，瞄准物理 AI 芯片市场

据 IT之家 10 月 9 日消息，GlobalFoundries（格罗方德，GF）当地时间公布了新一代 FD-SOI（完全耗尽型绝缘体上硅）先进制程平台 FDX Fusion 的推进计划。该平台首代技术预计具备 7nm 级数字性能，格罗方德计划在 2027 年初向客户交付演示芯片，2027 年中提供初步 PDK，并于 2028 年在德国德累斯顿晶圆厂启动量产。若进展顺利，格罗方德将成为又一家进入 10nm 以下级逻辑制造的独立晶圆代工厂，同时也将成为首家把 FD-SOI 技术延伸到 10nm 以下级别的企业。

FD-SOI 向 7nm 级推进，格罗方德选择差异化路线

在先进逻辑制程竞争中，行业通常更关注 FinFET、GAA 等路线，以及台积电、三星、英特尔等厂商在最先进节点上的进展。格罗方德此次强调的 FDX Fusion，则延续其在 FD-SOI 领域的差异化布局。FD-SOI 的特点在于使用绝缘体上硅结构，面向低功耗、射频、模拟与混合信号等场景具备一定优势，并非单纯围绕最高晶体管密度展开竞争。

来源显示，FDX Fusion 第一代技术预计可提供 7nm 级数字性能，同时也强调模拟与混合信号、射频能力，并支持存内计算、嵌入式非易失性存储器等功能。这意味着该平台并不只是追求传统 CPU/GPU 式的高性能逻辑，而是试图把数字计算、感知接口、存储能力和射频能力整合到更适合边缘设备与专用芯片的工艺平台中。

瞄准“物理 AI”：边缘智能芯片需要的不只是算力

格罗方德将 FDX Fusion 的目标市场指向物理人工智能。所谓物理 AI，通常可以理解为 AI 与现实世界设备、传感器、机器人、汽车电子、工业系统等结合后的应用形态。与云端大模型训练不同，这类芯片往往更强调低功耗、实时响应、可靠性、感知接口与本地推理能力。

对于这类市场，单纯追求最先进节点并不一定是唯一答案。许多终端设备需要在有限功耗和成本约束下处理传感器数据、执行控制逻辑，并与无线连接、模拟前端、嵌入式存储协同工作。FDX Fusion 如果能够在 7nm 级数字性能基础上兼顾射频、模拟混合和存内计算，可能会为边缘 AI、智能硬件和车规相关应用提供新的工艺选择。

• 时间表：2027 年初交付演示芯片，2027 年中提供初步 PDK，2028 年启动量产。
• 制造地点：量产计划放在德国德累斯顿晶圆厂。
• 技术定位：FD-SOI 扩展至 10nm 以下级，首代面向 7nm 级数字性能。
• 应用方向：面向物理 AI，兼顾数字逻辑、射频、模拟混合、存内计算和嵌入式非易失性存储。

对产业链的影响：先进制程竞争出现更多分层

格罗方德此前并非最激进推进尖端节点的代工厂，其优势更多体现在特色工艺、射频、嵌入式存储、汽车与工业等领域。此次 FDX Fusion 计划的意义在于，它可能让“10nm 以下级”不再只对应传统高性能计算芯片，也可能成为面向 AI 终端、传感器融合和低功耗智能设备的特色工艺节点。

这对 AI 硬件产业链有两层启示。第一，随着大模型能力向终端扩散，边缘设备需要更多专用芯片来处理实时感知与本地决策，工艺平台将从单一算力指标转向系统级集成能力。第二，欧洲本土晶圆产能的重要性正在上升。格罗方德同日还宣布，德累斯顿生产基地的 SPRINT 扩展项目实现封顶，预计到 2028 年底将产能提升至每年超过 100 万片 300mm 晶圆，这与其 2028 年 FDX Fusion 量产计划在时间上形成呼应。

总体来看，FDX Fusion 并不是对最先进通用逻辑节点的直接替代，而是一次面向 AI 终端与特色芯片市场的工艺升级尝试。若客户验证和 PDK 生态推进顺利，格罗方德有机会在 2028 年前后为物理 AI、智能硬件、汽车和工业设备提供一个更具差异化的 7nm 级 FD-SOI 制造选项。