长鑫存储4F² DRAM研发取得进展，融合新架构的DDR5 RDIMM预计年底亮相

据 IT之家 10 月 10 日消息，长鑫存储在 DRAM 前沿架构研发上取得新进展。长鑫存储总裁曹堪宇博士日前在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，介绍了公司在 DRAM 器件、4F² 架构以及混合键合等方向的技术积累，并透露预计将在年底推出融合相关先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。来源显示，此次演讲并未披露该产品的具体规格与准确发布时间，但其面向服务器内存主流形态，意味着长鑫正在将下一代 DRAM 架构探索推向更高工程门槛的应用场景。

4F²架构为何受到关注

在当前 DRAM 产业中，主流存储单元仍以 6F² 架构为主。DRAM 芯片的基本存储单元通常由一个晶体管和一个电容器构成，即常说的 1T1C 结构。所谓 4F²，是指单个存储单元面积压缩到 4 倍最小特征尺寸的平方，相比 6F² 理论上有助于提升存储密度。

不过，从 6F² 迈向 4F² 并不是简单的版图缩小。来源指出，这是一类更深层的架构变化，原有 6F² 工艺无法直接沿用，需要新的器件设计和工艺体系配合。对于 DRAM 厂商而言，这意味着不仅要解决单元尺寸缩小后的电性能问题，还要在良率、功耗、可靠性和大规模制造一致性之间取得平衡。

据曹堪宇博士介绍，长鑫自成立以来就启动了 4F² 相关研究和专利布局，目前公开专利族超过 300 件，数量在海内外厂商中处于领先位置。长鑫还在 2021 年发布了大陆首篇 4F² 架构相关论文，并在 2023 年、2025 年的论文中继续披露该方向的研发进展。这表明其并非临近产品发布前才进入相关赛道，而是进行了较长周期的技术储备。

面向服务器内存，工程挑战更高

本次最值得关注的信息，是长鑫计划将这些技术融合到新一代 DDR5 RDIMM 产品中。RDIMM 即带寄存器的内存模组，是服务器和数据中心平台常见配置，对稳定性、容量、持续负载能力和平台兼容性要求更高。对于 AI 训练、推理服务、数据库和虚拟化等负载来说，内存带宽与容量都是影响系统效率的重要因素。

来源提到，长鑫在研发过程中对多项核心工艺进行了探索与突破，覆盖字线金属化、位线成型以及结激活等关键环节，并以优化性能与功耗比为目标。对于服务器内存而言，单颗芯片的密度提升只是起点，最终还需要在模组层面满足长时间运行、错误控制、功耗管理和平台认证等一系列要求。

• 架构层面：4F² 有望在单元面积上带来更高密度潜力，但需要新的器件和工艺体系支撑。
• 工艺层面：字线、位线、结激活等步骤直接影响存储单元性能、功耗与可制造性。
• 产品层面：DDR5 RDIMM 面向服务器场景，验证难度高于消费级内存。
• 产业层面：若如期推出，将展示国产 DRAM 在高端内存产品路线上的持续推进。

影响与解读：国产DRAM进入“架构创新”竞争阶段

过去几年，全球 DRAM 厂商都在寻找传统微缩之外的新路径。来源中提及，行业也在讨论 4F²、3D DRAM 等新结构，以应对更先进节点下成本、密度和性能之间的压力。对于国内存储产业而言，4F² 不只是一个单点技术名词，更代表 DRAM 竞争正在从制程追赶，进入器件结构、工艺集成和产品工程协同创新阶段。

从 AI 与数据中心视角看，服务器内存需求仍在增长。大模型训练与推理通常依赖 GPU、CPU、存储和网络的协同，内存系统则影响数据供给效率和整机容量上限。长鑫将首代融合 4F² 等先进技术的产品指向 DDR5 RDIMM，说明其希望切入更具产业价值的服务器市场，而非仅停留在技术展示层面。

当然，产品预计年底亮相并不等同于规模化商用已经完成。由于来源未披露规格、性能指标、容量配置、平台认证进展和量产节奏，仍需等待后续官方信息。可以确定的是，长鑫此次披露让外界看到了国产 DRAM 在下一代结构和高端内存模组上的更清晰路线，也为服务器内存市场增加了新的观察点。