美光今日宣布已开始大规模生产基于1αnM工艺的DRAM内存芯片，这一工艺是目前最先进的DRAM技术，能够显著提升容量密度、性能，并降低能耗。
与CPU、GPU等新产品不同，DRAM和NAND闪存的工艺节点不采用具体数字标识，而是使用1x、1y、1z、1α等标记，数字越高代表工艺越先进。具体来说，1xnM的技术接近20nM，而1αnM则更接近10nM。
美光的1αnM DRAM工艺适用于多种内存芯片，特别是最新旗舰手机所采用的LPDDR5。与1z工艺相比，该工艺可使容量密度提高多达40%，同时降低功耗15%，从而提升5G手机的性能、减轻机身厚度，并延长续航时间。
此外，DDR4、LPDDR4及未来的DDR5均可采用此新工艺，适用于智能手机、笔记本电脑、台式机、服务器以及各种嵌入式设备。
美光在台湾的晶圆厂已开始量产并出货1αnM DRAM内存芯片，首批产品为DDR4内存条，属于CRUCial英睿达品牌，目前还在进行LPDDR4的试产和评估，未来将扩展到更多内存类型。
