三星电子，作为全球最大的 NAND 闪存供应商，最近披露了其对 V-NAND 技术的未来规划。该公司确认，将于明年初启动生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，这一技术将成为业界层数最多的 3D NAND 产品。
三星电子的总裁兼存储器事业部负责人在一篇博客中指出：“第九代 V-NAND 采用双层结构，层数达到了行业顶尖水平，预计将在明年初实现量产。”
早在八月份，就有消息透露三星正在研发这一超高层数的 V-NAND，继续沿用自 2020 年首次引入的双层技术。目前，三星也表示，其 3D NAND 的有效层数将超越其他竞争对手。已知 SK 海力士的下一代 3D NAND 层数为 321 层，因此，三星的第九代 V-NAND 层数预计将更高。
层数的提升将为三星带来更高的 3D NAND 存储密度。公司预计，未来的闪存产品不仅会增强存储密度，同时也会提升性能。
“三星还在探索下一代技术，以创造更大的价值，包括一种新结构，旨在最大化 V-NAND 的输入/输出（I/O）速度。”他补充道。
虽然目前尚不清楚第九代 V-NAND 的具体性能表现，但可以预见，该系列存储器将在即将推出的固态硬盘中得到应用，可能会支持 PCIe Gen5 接口。
在更长期的技术发展方面，三星正在努力降低单元干扰、减少高度，并最大化垂直层数，以实现业内最小的单元尺寸。这些技术创新将对推动三星实现超过 1000 层的 3D NAND 及其高度差异化的存储解决方案的愿景至关重要。
