全面拥抱EUV光刻，预计将带来重大工艺升级

Intel在10nm节点的进展长期落后于预期，原因之一是对EUV光刻设备的依赖。早期，Intel曾认为EUV技术尚未成熟，因此在10nm节点采用了多重曝光工艺，量产难度高，导致工艺延期。

如今Intel态度发生转变，开始重视EUV光刻工艺。毕竟三星和台积电的EUV已实现量产多年，Intel也计划在7nm节点全面采用EUV，但该计划同样遭遇时间推迟，预计2023年量产。

在最近一次参与摩根大通的会议上，CEO基辛格表示，Intel将全面拥抱EUV光刻工艺，显示出对EUV进行多代重大改进的计划，并将在晶体管级别推进显著提升。

从Intel的表态可见，他们对EUV工艺充满信心。各厂商的EUV实施进展各不相同，而Intel的表态暗示将对EUV展开重大改进，甚至推进晶体管级别的升级。