10月12日消息，外媒报道，一家全球知名的存储芯片制造商宣布，已开始使用极紫外光刻技术量产业界尺寸最小的14纳米DRAM芯片。
该公司表示，EUV 技术在多图案绘制过程中减少重复步骤，提升图案绘制的准确性，从而提升性能和产量并缩短开发周期。
借助最新的 DDR5 标准，14 纳米 DRAM 将实现高达 7.2Gbps 的传输速率，接近 DDR4 的两倍多。
据称，DDR5 的量产已接近开启，且新工艺预计将提高产率约 20%、功耗下降近 20%。
据了解，这家厂商是全球领先的存储芯片与智能手机制造商之一。在最近的晶圆代工论坛上，该公司宣布将从 2025 年开始量产 2nM 芯片，并计划从 2022 年上半年开始为客户设计的 3nM 芯片量产，第二代 3nM 芯片预计在 2023 年投产。
