三星电子正式宣布，将在台积电之前于2022年上半年量产3纳米芯片。作为竞争对手，台积电计划在10月14日召开电话会议，披露第三季度业绩，并可能就这一消息作出回应。
公司还透露，2023年上半年将启动环栅结构生产，为客户定制3纳米芯片设计，并计划在2023年实现首批第二代3纳米芯片量产，随后在2025年实现2纳米芯片量产。
公司将采用环栅阵列（GAA）技术来制造3纳米芯片，以提升晶体管在控制半导体电流方面的性能与能效。新型晶体管结构对持续的工艺迁移至关重要，因为它带来更高的功耗效率、性能与设计灵活性。
与基于鳍式场效应晶体管（FinFET）的5纳米工艺相比，三星首个3纳米GAA工艺节点预计性能提升约30%，功耗降低约50%，芯片面积缩小约35%。公司还计划在2025年把第三代GAA技术应用到2纳米工艺上。
台积电则计划继续在3纳米工艺上使用 FinFET，并从2纳米工艺起逐步引入GAA技术。据该公司计划，台积电将成为全球首家实现3纳米量产的代工厂。初步计划是在2022年7月将3纳米工艺用于英特尔CPU和GPU的量产。
之所以走出这一步，是因为两家公司在全球代工市场的份额差距正在扩大。2021年第二季度，台积电占全球代工市场约58%，三星约14%。市场研究机构Counterpoint Research数据显示，第一季度，台积电的市场份额约为55%，三星约为17%。
目前，两家公司都在生产基于 FinFET 技术的5纳米芯片。不过业内专家普遍认为，台积电在良率和性能方面处于领先。
