11月19日消息，某企业集团旗下子公司自主研发的IGBT芯片完成首批交付，标志着采用i20技术的IGBT芯片已经进入批量销售阶段，市场逐步给予认可。
该款IGBT芯片额定电压为1200V，额定电流为250A。采用当前主流的FS-TRench结构，并在设计中引入N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+掺杂与3D结构等多项优化，带来在250A电流、175℃最大工作结温条件下的卓越性能。
在最新测试中，以i20芯片为核心的模块产品，自1500A（模块额定电流750A的2倍）起步，在超过2000A（接近额定电流的3倍）时仍然稳定工作，展现出极佳的安全性与耐用性。
