11月22日，据国外媒体报道，三星电子在上周六发布了多款与3纳米芯片制造工艺相关、用于加强代工生态系统的设计工具与技术。
据此前报道，三星的3纳米制程将采用GAA架构。与基于FinFET的5纳米工艺相比，这一代3纳米GAA在性能方面提升约30%、功耗下降约50%、芯片面积缩减约35%。
今年10月，三星电子宣布将于2022年上半年量产3纳米芯片，时间表将早于台积电。据了解，台积电计划在2022年7月实现3纳米量产。如果按三星的进度，它有望成为全球首家实现3纳米量产的代工厂。
上周，外媒称，AMD和高通可能成为三星3纳米制程工艺的首批客户。
