东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出全球首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。该模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，具有250A的漏极电流（DC）额定值，特别适用于光伏发电系统和储能系统等需要DC 1500V的应用。该产品即日起支持批量出货。
目前，类似的工业应用通常使用DC 1000V或更低的电压，其功率器件多为1200V或1700V。然而，随着DC 1500V的广泛应用预期，东芝率先推出了这一2200V的产品。
MG250YD2YMS3具备低导通损耗以及0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）。此外，其开通和关断损耗分别为14MJ（典型值）和11MJ（典型值），相比于传统的硅（Si）IGBT降低了约90%。这些优势显著提升了设备的整体效率。由于MG250YD2YMS3实现了较低的开关损耗，用户能够用更少的模块数量来替代传统的三电平电路，从而有助于设备的小型化。
东芝将继续在创新方面发力，满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。
应用领域
工业设备
• 可再生能源发电系统（如光伏发电系统）
• 储能系统
• 工业设备用电机控制系统
• 高频DC-DC转换器等相关设备
