盛美半导体设备近期宣布，其300MM UltRa Fn立式炉干法工艺设备系列将新增多项半导体制造工艺，包括非掺杂的多晶硅沉积、掺杂的多晶硅沉积、栅极氧化物沉积、高温氧化及高温退火。这些新技术将在SEMICON CHina 2021展出。
此前，盛美已推出应用于氧化物、氮化硅低压化学气相沉积及合金退火工艺的立式炉系统，此次基于该平台进一步开发了新功能。支持这些新应用的设备预计将在2021年上半年交付给客户。
盛美半导体设备董事长王晖表示：“我们的战略着眼于高增长潜力的市场和应用，通过与客户的合作来开发先进技术以应对挑战。目前，我们能够支持80%以上的批式热工艺，包括SiN、HTO的LPCVD工艺以及各种多晶硅沉积和栅极氧化物沉积工艺，甚至在高达1200摄氏度的温度下进行超高温氧化和退火。这条新品线的快速推出，进一步验证了我们与核心客户合作的战略成效。”
UltRa Fn系统的设计旨在满足客户的需求，尤其是在半导体器件尺寸不断缩小和复杂度增加的背景下，对热工艺的温度控制提出了更高的要求。为此，UltRa Fn加热器采用了独特的控制算法，以确保温度控制的稳定性。
盛美对UltRa Fn设备进行了功能扩展，通过少量改动即可适应新的工艺应用。该系统的设计与现有的氧化物、氮化物沉积系统大部分硬件兼容，从而降低了整体成本。同时，系统可以方便地更换组件，以满足定制化的工艺需求。
盛美已经交付了SiN LPCVD和微托级超高真空功能的合金退火工艺立式炉设备，并已开始测试其他新功能设备，预计在2021年内将取得验证结果。
