据外媒报道，消费电子需求在去年下半年持续走弱，导致存储芯片需求下降，对 SK 海力士造成明显影响，营收同比持续下滑，从去年第四季度到今年第三季度均出现净亏损。为应对周期性波动，公司在去年十月已决定削减今年的投资规模。
外媒最新报道显示，在削减今年投资后，明年的设施投资有望回升，SK海力士已决定将明年的设施投资提升至约 10 万亿韩元。
报道指出，SK海力士今年的设施投资预计在 6-7 万亿韩元，明年计划达到 10 万亿韩元，意味着同比增加约 3-4 万亿韩元，增幅约为 50%。
报道还提到，明年的投资将重点用于扩大制造设施，以满足人工智能领域快速增长的需求。
此外，外媒称这笔资金将直接投向包括 DDR5、LPDDR5 在内的高附加值 DRAM 相关生产设施。但在 NAND 闪存方面，明年形势仍不乐观，相关投资规模将有所缩减。
