今年，除了一家对手之外，若干客户将向台积电下单购买第二代3纳米工艺（N3E）产能。
预计在其即将推出的高性能处理器与高端移动芯片中将采用N3E工艺；在下一代旗舰SoC与高性能显卡、服务器GPU中也可能采用N3E工艺。此外，台积电的Zen 5 CPU、RDNA 4 GPU以及其他服务器级芯片也被视作潜在的N3E应用对象。
台积电规划了多种3纳米工艺节点，分别为N3/N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B为首个3纳米节点，已于2022年12月开始量产。
在N3系列量产后，一些公司在成本考量下将采用4纳米工艺以实现更低成本的生产，但对高端产品线的打磨与能效提升，仍会推动N3E的需求增长。
长期以来，N3B工艺主导了这类高端芯片的量产需求。2023年发布的多款旗舰芯片即为3纳米工艺的早期代表，随后在相关系列中逐步扩展。未来，预计在M3 UltRa、A18 Pro等高端芯片及其他未来代产品中，3纳米工艺仍将发挥关键作用。
业内普遍预期，N3E工艺将在2024年获得更多订单，随着产能扩产和需求释放，3纳米产能到2024年底有望达到较高利用率。
