互联网资讯 / 手机数码 · 2024年3月21日

英特尔与联华电子共同开发12nm制程平台,计划2027年投产

2024年初,双方宣布将联合开发面向移动、通信基础设施和网络等高增长市场的12nm半导体制程平台,目标是在2027年实现量产。

英特尔和联华电子宣布合作开发12nm半导体制程平台 预计2027年投产

新节点将发挥英特尔在美国产能与FinFET晶体管设计的经验,计划在位于美国亚利桑那州的三座晶圆厂进行研发与制造,产能安排在2027年正式投产。

据了解,亚利桑那州的三家晶圆厂目前仍在生产10nm和14nm节点,但将使用与上述节点相同的多项工具,参与新12nm生产线的转产与扩产。

随着12nm节点的推进,三座晶圆厂将逐步停止10nm与14nm产能,以为新节点释放资源。

英特尔具备自研晶圆设计与代工能力,其他竞争对手的芯片设计多依赖外部代工厂。

2021年初,相关代工业务被重新定位为代工服务,目标是在与领先代工厂的竞争中提升市场地位。

过去一年,代工服务取得显著进展,新增客户合作持续扩大,代工生态系统不断扩张,预计今年将继续实现增长。

本周,位于新墨西哥州的尖端封装工厂FAb 9正式投入运营,采用包括3D封装等在内的先进封装技术。