TrendForce：2027 年翻新内存手机渗透率或达 7%—9%，低价机率先采用

据 IT之家 11 月 7 日援引集邦咨询（TrendForce）最新存储行业研究，移动 DRAM 合约价格持续上涨，正推动智能手机厂商采用成本更低的翻新内存，以缓解物料成本压力。TrendForce 预计，翻新内存在智能手机市场的渗透率将从 2026 年约 3%—4%，升至 2027 年的 7%—9%。这一变化目前主要发生在入门级和平价手机市场，但也反映出内存涨价对终端产品配置与供应链选择的影响。

低价 4G 手机成为主要应用市场

这里的翻新内存指 Reballed Memory，即重新植球内存，并非一种新的内存规格。来源显示，目前市场上流通的产品以 LPDDR4X 4GB 为主，主要用于售价低于人民币 1299 元的 4G 智能手机。

这类产品的用户通常对价格较为敏感，品牌很难将零部件涨价全部转嫁到售价上。因此，在保持终端价格竞争力的同时压低 BOM（物料清单）成本，成为厂商的重要任务。翻新内存提供了一条较直接的降本路径，也让品牌在采购成本上升时获得一定缓冲。

• 渗透率预期：2026 年约为 3%—4%，2027 年有望达到 7%—9%。
• 当前主流产品：LPDDR4X 4GB 翻新内存。
• 主要应用范围：售价低于 1299 元的入门级、平价 4G 手机。
• 核心驱动因素：移动 DRAM 合约价上涨，挤压手机厂商的成本空间。

影响解读：降本方案可能向更高价位延伸

TrendForce 预计，DRAM 涨势在 2027 年第一季度可能进一步加剧。若成本压力延续，采用降规元器件和翻新内存的策略，或将逐步从低价机向更高价位段渗透。不过，这仍是对后续趋势的判断，不能据此认定翻新内存已经在中高端手机中普遍应用。

对消费者而言，这意味着观察手机配置时，不能只关注内存容量和规格名称。同样的容量指标，并不直接说明元器件的来源与质量一致性。对于手机品牌，竞争也不只是能否维持售价，还包括能否在供应链选择发生变化后，继续保证整机品质与售后体验。

但翻新内存使用增加，并不意味着 DRAM 涨价会随之逆转。TrendForce 指出，即使 2027 年相关装机量扩大，其占全球智能手机内存年度消耗总量的比例仍然有限，预计难以对 DRAM 合约价上行形成实质性冲击。它更像是部分机型的成本缓冲工具，而不是改变存储市场供需的关键变量。

省下采购成本，也要算清质量与售后账

翻新内存的风险主要在于采购渠道复杂、批次质量一致性存在不确定性。来源指出，这些问题可能影响整机可靠性和使用寿命，并带来保修、维修支出增加及品牌口碑受损的风险。

因此，短期物料成本下降，不等于产品全生命周期成本下降。如果省下的采购费用被后续售后支出抵消，降本策略的实际收益就会打折。对手机产业而言，接下来值得关注的不仅是翻新内存渗透率是否兑现预测，更是品牌能否在价格、质量与长期用户信任之间取得平衡。