5月21日，全球领先的芯片代工企业台积电宣布，与台湾大学及麻省理工学院（MIT）合作，在1纳米以下芯片技术上取得了重要进展，相关研究成果已在《自然》期刊上发表。
据HexUS等国外媒体报道，台积电、台湾大学和麻省理工学院的研究团队在电子领域的“超越硅”技术及2D材料应用方面取得了重大突破。研究表明，这项进展为1纳米以下电子制造工艺提供了新的可能性，有助于突破现有半导体技术和材料的局限。
根据该研究，科学家们通过将硅与半金属铋（Bi）结合，采用低接触电阻和高电流传输能力的2D材料，取代了传统半导体中关键的硅材料。
目前，台积电和三星电子是全球仅有的两家能批量生产7纳米以下半导体的公司，二者都在进行5纳米产品的量产。
业界专家一直关注哪家公司会率先实现3纳米产品的批量生产。据悉，相较于5纳米工艺，3纳米工艺可以将芯片尺寸缩小35%，同时提升性能和电池效率，分别达到15%和30%的提高。
台积电预计将在2022年底开始批量生产3纳米芯片。该公司正在投资120亿美元，在亚利桑那州的凤凰城建设一条5纳米生产线，并计划增建五条生产线，包括最先进的低于3纳米的生产线。
三星电子则表示将于明年开始批量生产3纳米半导体。不过，台积电在1纳米以下核心技术的开发上已取得突破，进一步巩固了其行业领先地位。
在代工业务方面，三星电子仍然远远落后于台积电。根据市场研究公司TrendForce的数据，2020年，台积电在全球晶圆代工市场的份额达到54%，而三星电子仅占17%，不到台积电的三分之一。
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