荷兰光刻机制造商ASML宣布，将优先向英特尔公司交付其新型高数值孔径（High NA EUV）极紫外光刻机。
每台新机成本超过3亿美元，旨在帮助芯片制造商实现更小的结构尺寸和更高的生产效率。
ASML官方社交媒体账号发布了一张现场照片。图中可见光刻机的一部分被安置在保护箱内，箱体外部缠绕着一圈红丝带，正准备从位于埃因霍温的总部发货。
“耗时十年的开创性科学与系统工程值得致敬！我们既兴奋又自豪，能够把第一台高数值孔径的极紫外光刻机交付给英特尔。”
据了解，这款高数值孔径极紫外光刻机的体积极大，需分装在大约250个独立的板条箱中运输，其中还包括13个大型集装箱。
据业内估计，该设备将从2026年或2027年起进入商业芯片制造领域。
公开资料显示，NA数值孔径是光刻系统的关键指标，直接决定了光刻的实际分辨率以及可达到的工艺节点。
一般来说，当金属间距缩小到30纳米以下，并且工艺节点跨入5纳米以下的区间时，低数值孔径光刻机的分辨率就难以满足需求，往往需通过EUV双重曝光或其他成像成形技术来辅助。
这不仅会显著增加成本，还会降低良品率，因此更高的数值孔径成为必要之选。
ASML在9月份曾宣布，将在今年底交付第一台高数值孔径EUV光刻机，型号为“Twinscan EXE:5000”，理论上可用于制造2纳米工艺乃至更先进的芯片。
