在加利福尼亚州圣克拉拉，SK海力士于当地时间8日举行了“2023闪存峰会”，并展示了其321层1Tb TLC 4D NAND闪存的开发进展。
作为首个公开300层以上NAND具体开发进展的企业，SK海力士透露，321层NAND闪存的进一步完善工作正在进行中，预计将在2025年上半年实现量产。
公司相关负责人表示，321层NAND的研发正按计划推进，目标是再次打破堆栈层数的纪录，继续引领行业发展。
321层1Tb TLC NAND的效率比前一代238层512Gb提升了59%，使得数据存储单元可以以更多的芯片数量堆叠，实现在同一芯片上更大的存储容量，并增加了每个晶圆上芯片的产量。
随着生成型AI市场需求的激增，尤其是受到Chat GPT的影响，高性能、高容量存储器的需求也在快速上升。
为满足这些需求，SK海力士推出了优化后的下一代NAND产品解决方案，包括采用PCIe 5接口的企业级固态硬盘和UFS 4.0。
公司希望通过这些具有世界级领先性能的产品来满足客户需求。
此外，SK海力士还在积极研发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以继续保持市场领先地位。
在主题演讲中，SK海力士NAND闪存开发副社长强调，通过推出第五代4D NAND 321层闪存产品，公司将巩固其在NAND技术领域的领导地位，并推出适应人工智能时代需求的高性能、大容量NAND产品，继续引领行业潮流。
