中国科学院院士王阳元与同事们经过八年的努力，成功实现了中国在集成电路领域的重大突破，并率领数百名专家打破了西方的技术封锁。
在缺乏设备和技术的情况下，他们依靠实践和学习，每个人都为此付出自己的力量。无论何时，只要芯片到达，就立即投入工作，毫无怨言。
王阳元在86岁时，依然用自己的一生践行着他在入党申请书上写下的初心。
谈到这些经历，他曾发出“生逢盛世，肩负重任，我没有虚度年华”和“科学无国界，但科学家有祖国”的豪言壮语。
王阳元于1935年1月1日出生在浙江宁波，是中国著名的微纳电子科学家和教育家，现为中国科学院院士、北京大学教授及博士生导师，并担任北京大学微电子学研究院院长和微电子学系主任。
他在1958年毕业于北京大学物理系，1986年成为北京大学微电子学研究所的所长，1995年当选为中国科学院院士，成功主持并参与了硅栅N沟道技术和中国第一块1024位MOS DRAM（金属氧化物半导体）的研发，推动了MOS集成电路技术的发展。
此外，他在国际上提出了多晶硅薄膜氧化动力学的新模型和应用方程，并与同事合作开发了MOS绝缘层中可动离子和电荷陷阱的新测量方法，率先成功开发了多晶硅发射极超高速集成电路技术，进一步推动了中国双极集成电路技术的进步。
他还成立了SOI（绝缘衬底上的硅）新器件研究室等机构，主持建设了中国第一个国家级微米/纳米加工技术重点实验室。在SOI新器件与电路以及MEMS系统等领域，他都有着显著的贡献。
