12 月 22 日，据意法半导体官方消息，该公司与理想汽车达成了一项长期的碳化硅（SiC）供应合作协议。根据协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持其在高压纯电动车市场的战略布局。
意法半导体的碳化硅器件具有更高的开关频率、击穿电压及热阻，能够显著提升功率晶体管的性能和能效。这些特性在纯电动车的高电压环境中尤为关键。理想汽车即将推出的800V高压纯电平台，将在电驱动逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。
理想汽车供应链副总裁孟庆鹏表示：
“我们致力于为家庭用户提供超预期的豪华电动车。这次与意法半导体的碳化硅供应合作，充分体现了我们在纯电动车研发上的坚定决心。我们对与全球领先的碳化硅技术企业ST的未来合作充满信心，这将开启一段创新与成功的合作篇章。”
意法半导体中国区总裁曹志平指出：
“作为全球功率半导体和宽禁带技术的领导者，意法半导体一直是多家知名汽车制造商和一级供应商的长期合作伙伴。此次与理想汽车签订的碳化硅供应协议，标志着双方在汽车应用领域的合作又迈出了坚实的一步。ST承诺支持理想汽车成为中国高端新能源汽车的领军品牌，通过我们的SiC创新技术，为用户带来更优的性能和更长的续航里程。”
此前报道显示，在今年6月举行的理想汽车“理想家庭科技日”发布会上，理想汽车推出了800V高压平台的5C电池，其充电峰值功率超过500kW，实现了9分30秒续航400公里，以及22分钟充电续航600公里。新一代5C快充采用低内阻电芯，产热降低了30%。
理想汽车还宣布，计划在2023年底前建设超过300个超级充电站，至2025年将建设超过3000个充电站。届时，充电站点之间的平均间隔将缩短至100公里，每个站点每小时可以服务9到20辆车。
