4月2日，三星在高端内存市场的进展遇到了重大障碍。由于关键技术D1和DRA的良品率未能达到预期，三星决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。
此次问题涉及的D1和DRA是三星第七代10纳米级工艺，原本计划作为未来HBM产品的核心技术。这项技术原定用于第九代HBM产品HBM5E。
尽管该技术获得了预生产批准，但其良率始终低于目标，导致试运行的投资回报率出现问题，影响了大规模生产。
据内部人士透露，三星将在D1良率达到预期后才会恢复量产。恢复生产的具体时间尚未确定，三星正在全面审查工艺路线图，以期提高良率。
值得注意的是，三星现有的1c DRA技术已稳定应用于三代HBM产品，包括HBM4、HBM4E和HBM5。
HBM4预计将在今年晚些时候推出，英伟达的Verra Rubin和AMD的MI400平台都将采用HBM4，HBM4E预计将用于RuBin Ultra和MI500加速器。
未来的HBM5及定制设计预计将被英伟达的Feynman系列等方案采用。
三星曾被报道正在大幅缩短HBM开发周期，新的方案准备速度前所未有。然而，快速开发并不等于能够直接量产，这已成为最大瓶颈。
与此同时，三星也在扩大产能，已在韩国温阳投入资源建设一座大型芯片厂，专门用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品，该厂将负责封装、测试、物流和品控等关键环节。
三星的竞争对手SK海力士已在D1和DRA技术上完成研发并确保了良率。
双方目前都在争夺AI公司的大订单，谁能在保证良率和稳定投资回报的前提下灵活规划HBM，谁就能在竞争中占得先机。
