7月25日消息，RAPIdUS在日本政府及各大财团的支持下，已启动国内首家制造先进硅工艺的半导体工厂，计划于2025年开始2nm试生产，并在2027年实现量产，距离行业巨头台积电的进度仅落后2年。
RAPIdUS首席执行官小池淳义在接受《日经新闻》采访时表示，正在与一些美国顶尖科技公司进行半导体供应的谈判。“我们正在寻找美国的合作伙伴，已经与一些GAFAM公司展开了洽谈，尤其是来自数据中心的需求。”他说。
RAPIdUS成立于2022年8月，由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、电装Denso、铠侠、三菱日联银行等8家日本企业共同出资，出资总额为73亿日元，同时日本政府也提供了700亿日元的研发补助。
小池淳义曾表示，计划在2025年上半年建设一条2nm原型线，技术确立需要2万亿日元，而筹备量产线还需3万亿日元。
这条2nm半导体试产线的第一个原型将在2025年完成，预计2027年开始大规模量产，以尽快追赶台积电等全球半导体厂商，而后者计划于2025年量产2nm工艺。
需要提到的是，2nm量产所需的技术难度远高于现有技术。尽管台积电在日本熊本县拥有工厂，但其计划于2024年开始量产的半导体工厂仅能生产12至28纳米的产品。
此外，RAPIdUS于2022年底与美国IBM签署了技术授权协议，IBM在2021年已成功试制出2nm产品。RAPIdUS将派遣员工前往美国，以掌握所需的基础技术。
小池淳义表示，RAPIdUS目前的专家团队约有100人，第一批团队成员已经在纽约州的IBM完成了相关培训。IBM是RAPIdUS的主要技术支持者，曾在2021年展示了使用2nm技术制造的存储原型。
RAPIdUS计划基于IBM的2nm工艺技术，开发“RAPIdUS版”制造技术，预计2025年开始逻辑半导体试产，并在2027年实现量产。RAPIdUS版的生产技术将重点集中在两个主要领域：
预计将增长的“高性能计算（HPC）”芯片
未来智能手机的“UltRa Low PoweR（超低功耗）”芯片
小池淳义在采访中表示，RAPIdUS将独立测试和封装其制造的半导体元件，这不仅能够缩短生产周期，还能增加利润。
RAPIdUS希望对每个硅晶圆的加工实施快速反馈，以加快缺陷和问题的识别过程，从而缩短成品上市的时间。
据称，RAPIdUS并不打算与台积电竞争，而是更愿意专注于服务器领域、汽车行业、通信网络、量子计算和智能城市等细分市场，成为利基制造商。
