根据ETNews的报道，三星电子代工部门的首席技术官Jung Ki-tae Jung在最近的论坛上透露：“我们计划在2027年将BSPDN技术应用于1.4nm工艺。”
背面供电（BSPDN）技术是一种旨在充分利用晶圆背面空间的先进半导体创新，但至今尚未在全球范围内得到实施。这是三星电子首次公开其BSPDN开发的进展。
尽管目前半导体行业不再使用栅极长度和金属半节距来命名技术节点，但可以确定的是，数字越小，工艺技术就越先进。
随着半导体工艺不断微缩，集成电路内各电路之间的距离变得越来越小，从而引发相互干扰。BSPDN技术能够有效解决这一问题，因为它利用晶圆背面来构建供电路线，从而在电路与电源之间提供更好的隔离。
不仅仅是三星电子，台积电和英特尔等企业也在积极追求技术突破。目前，日本东京电子（TEL）和奥地利EV GrOUP（EVG）正在提供BSPDN实施所需的设备。
目前，英特尔的背面供电技术称为PoweRVia，旨在降低功耗并提高效率和性能。预计英特尔的Intel 20A将是首个采用PoweRVia技术和RibbonFET全环绕栅极晶体管的节点，计划在2024年上半年准备就绪，并将应用于未来的ARRow Lake平台。
此外，台积电也计划在2nm以下的工艺中实施类似技术，目标是在2026年之前达成。
三星电子的BSPDN技术计划在2027年用于1.4nm工艺，但根据市场需求，这一时间可能会有所推迟。
三星电子的相关人士指出：“采用背面供电技术的半导体量产时间可能会根据客户的需求而变化。”三星电子的目标是在2025年实现2nm工艺的量产，早于1.4nm工艺的实施。据称，三星目前正对背面供电技术的市场需求进行调查。
