随着SSD硬盘越来越多地采用QLC闪存，其大容量和低价格的优势备受关注。然而，QLC闪存的寿命问题，尤其是P/E擦写次数，通常约为1000次，令许多人感到担忧。最近，IBM宣布成功解决了这一问题，使QLC闪存的擦写寿命达到了前所未有的16000次，超越了SLC闪存。
在最近的一次会议上，IBM闪存产品线的CTO兼院士Andy Walls介绍了他们在闪存可靠性方面的最新研究进展。
众所周知，QLC闪存的擦写次数限制促使IBM开发了专门的控制器，以监控和分类闪存。这一算法能够识别闪存的健康状态，健康度较高的闪存可用于存储频繁变动的数据，而健康度较低的闪存则适合存放变化较小的数据。
通过这种优化算法，QLC闪存的耐用性提升了一倍，但这并不是IBM的唯一创新，他们还推出了智能数据存放技术。
在QLC闪存的早期阶段，IBM将其定义为SLC，虽然速度快、性能强，但其容量仅为20%。通过引入压缩技术，压缩比达到了3:1，等于使得可用容量提升至60%。
只要容量足够，QLC闪存的性能和可靠性便会显著增强。通过将闪存转化为QLC闪存，许多缺点得以克服。
根据测试结果，经过优化的TLC闪存寿命可达18000次，而QLC闪存的寿命也可达到16000次。这一可靠性足以支持每天进行两次全盘擦写。
