瑞萨电子宣布推出新一代硅基绝缘栅双极晶体管（Si-IGBT），该器件在体积更小的同时实现了功率损耗的显著降低。针对下一代电动汽车（EV）逆变器的需求，AE5代IGBT产品计划于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂的200MM和300MM晶圆厂进行批量生产。此外，瑞萨还将在2024年上半年于日本甲府的新300MM功率半导体晶圆厂扩大生产，以应对市场对功率半导体产品不断增长的需求。
与现有的AE4产品相比，新推出的AE5硅基IGBT工艺降低了10%的功率损耗。这项节能技术将帮助电动汽车开发者更有效地利用电池能量，从而提高行驶里程。此外，新产品在保持高可靠性的同时，体积缩小了约10%。这一全新器件在低功率损耗和高稳定性之间实现了优异的平衡，提升了IGBT行业的整体性能。AE5系列最大程度地减少了IGBT之间的参数波动，并在并联运行时提供了更好的稳定性，显著改善了模块的性能和安全性。这些特性为工程师们提供了更大的设计灵活性，使他们能够开发出高性能的小型逆变器。
在电动汽车系统中，逆变器负责控制驱动电机。逆变器的功能是将直流电转换为电动机所需的交流电，因此IGBT等开关器件对于降低电动汽车的能耗至关重要。为支持开发者，瑞萨推出了一款xEV逆变器参考解决方案。该硬件参考设计结合了IGBT、微控制器、电源管理IC（PMIC）、栅极驱动器IC及快速恢复二极管（FRD）。此外，瑞萨还提供了xEV逆变器套件，作为参考设计的硬件实现。同时，瑞萨推出了一款电机参数校准工具，以及结合电机控制应用模型和示例软件的xEV逆变器应用模型和软件。这些工具和支持程序旨在帮助用户简化软件开发过程。瑞萨还计划将新一代IGBT整合到这些硬件和软件开发套件中，以实现更高的电源效率和性能。
