3月1日，媒体报道，R APId US的总裁兼首席执行官小池淳义表示，正在加快先进制程技术的研发，目标是在1n M工艺节点上缩小与台积电的技术差距至约6个月。
据悉，台积电的1.4n M和1n M工艺计划首先在台湾中部的科研园区FAB 25进行部署，预计投资约490亿美金，计划建设四座晶圆厂。
第一阶段将建设两座专用于1.4n M工艺的晶圆厂，预计在2028年下半年实现量产，第二阶段将推进至1n M工艺。传闻台积电将在1n M工艺节点首次引入High-NA EUV光刻机，相关开发预计在2030年前完成，并在2030年实现量产。
与此同时，R APId US计划于今年开始开发1.4n M工艺，预计量产时间为2029年，可能与三星的时间点相近。若要在1n M工艺上缩小与台积电的差距至6个月，R APId US可能需要在2030年下半年至2031年之间进入量产阶段。
R APId US是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年共同成立的合资公司，旨在实现本地化的先进半导体工艺设计与制造。
目前，R APId US已在日本北海道千岁市建立了创新集成制造工厂（II-M-1），计划在2027年实现2n M芯片的量产。
此外，R APId US还打算在2027财年（2027年4月至2028年3月）开始建设第二座晶圆厂，并规划更先进的1.4n及1n工艺。
