4月20日，内存芯片的短缺预计将持续到2027年以后。美国和韩国的主要制造商正在扩大DRAM的生产，但增产速度只能满足约60%的市场需求。
中东局势的不稳定正在推高电力和原材料的成本，进一步增加了行业供给前景的不确定性。
三星电子计划在今年启用位于韩国平泽的第四座晶圆厂，但全面投产预计要到2027年或更晚。同时，该工厂还将生产逻辑芯片，这在一定程度上限制了内存产能的扩张。
正在建设的第五座工厂将专注于高带宽内存（HBM），该内存用于人工智能芯片，然而预计要到2028年或更晚才会投产。
三星内存部门负责人金在俊表示，整体行业的产能扩张受到限制，从现在到2027年的供给增长将相对有限。
SK海力士已于2月在清州投产了一座HBM工厂，这是包括美光在内的三大厂商中唯一能够在今年提供新供应的项目。同时，公司正加快推进龙仁新厂的建设，计划在2027年2月完工，比原计划提前三个月。
SK集团会长崔泰源指出，受到晶圆短缺和短期增产困难的影响，AI内存的紧缺问题可能会持续到2030年。
美光计划在2027年于美国爱达荷州和新加坡启动HBM生产，并将在5月于日本广岛建设新厂，目标在2028年实现量产。此外，公司还于1月决定收购力积电的一座工厂，预计该厂将在2027年下半年投产。
目前，三星、SK海力士和美光占据全球约90%的DRAM市场份额，几乎是唯一具备HBM生产能力的厂商。
近年来，这三家公司将重心转向HBM，推迟了通用内存的扩产，导致自2025年秋季起供应趋紧。今年第一季度内存价格预计环比上涨约90%。
根据Counterpoint的测算，如果想要缓解短缺，行业需在2027年前实现约12%的产能增长，但现有的扩产计划仅为约7.5%。研究总监黄敏秀表示，供需关系预计要到2028年才会恢复正常。
在AI需求持续增长的背景下，即使新产能逐步投产，供需紧张是否能迅速缓解仍存在不确定性，因为先进内存工厂的良率提升需要时间。
目前约80%至90%的内存芯片用于PC、智能手机和服务器，其余则用于汽车和工业设备。IDC预计，今年智能手机销量将下降13%。
与此同时，内存在低端智能手机中的成本占比已达约20%，预计到今年中将接近40%。利润空间被挤压，手机厂商可能会减少产量，汽车零部件厂商也面临内存供应不足的问题。
